1064 nm kreisförmiger Top-Hat-Strahlformer DOE | Φ50µm Flachpunkt für Infrarotlaser (IR)
1064 nm kreisförmiger Top-Hat-Strahlformer DOE | Φ50µm Flachpunkt für Infrarotlaser (IR)
Durch Interferenzerscheinungen wird in einer gewählten Ebene (üblicherweise im Unendlichen oder in der Brennebene der Linse) eine spezifische Lichtintensitätsverteilung erzeugt. Dies wird durch die gezielte Beeinflussung der Beugungsordnungen und des Objektabstands ermöglicht. Der zugrundeliegende Mechanismus beginnt mit der mikrostrukturierten Oberfläche des DOE, welche die transmittierte Phase des Laserstrahls verändert und dadurch eine Phasenmodulation der einfallenden Wellenfront bewirkt, wodurch diese in mehrere Beugungsordnungen aufgespalten wird.
Mit einem Außendurchmesser von 25,4 mm (1 Zoll) und einer freien Apertur von 12 mm ist dieses Hochleistungs-DOE so konstruiert, dass es ohne Modifikationen in Standard-optomechanische Halterungen passt. In Verbindung mit grünen 532-nm-Lasern formt es den ursprünglichen Gaußschen Strahl zu einem Kreis mit flachem Durchmesser von 60 µm, der sich durch scharfe Kanten, gleichmäßige Bestrahlungsstärke und minimale Intensitätsspitzen auszeichnet.
Die 16-stufige Oberflächenstruktur bietet eine Gesamtdiffraktionseffizienz von >90 % und eine Gleichmäßigkeit von >90 % RMS und eignet sich daher hervorragend für die Präzisionsbearbeitung von Dünnschichten, die Mikrobearbeitung und die Herstellung von Medizinprodukten.
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