NIR Plan Apo 50X/0,67 – Unendlichkorrigiertes metallurgisches Objektiv für die Durch-Silizium-Bildgebung und die Prozessüberwachung mit Faserlasern

Das NIR Plan Apo 50X/0.67 ist ein hochwertiges, unendlichkeitskorrigiertes Planapochromaten-Mikroskopobjektiv, das speziell für Anwendungen im nahen Infrarotbereich (NIR) optimiert wurde. Mit einer numerischen Apertur (NA) von 0,67 und einem Arbeitsabstand (WD) von 10 mm bietet es eine außergewöhnliche Auflösung (0,5 µm) und eine exzellente NIR-Transmission im sichtbaren Bereich von 380–700 nm sowie bei der kritischen Wellenlänge von 1064 nm. Dadurch eignet es sich ideal für die Inspektion der Rückseite von Siliziumwafern, die TSV-Metrologie (Through-Silicon Via) und die Echtzeitüberwachung der Faserlaserbearbeitung.

Wichtigste Spezifikationen:

• Vergrößerung: 50x
• Numerische Apertur (NA): 0,67
• Arbeitsabstand (WD): 10 mm
• Brennweite: 4 mm
• Auflösung: 0,5 µm
• Schärfentiefe (±DF): 0,75 µm
• Maximales Sichtfeld: 0,5 mm
• Gewicht: 430 g
• Optisches Design: Unendlich korrigiert, Planapochromat (APO)
• Arbeitswellenlänge: 380–700 nm & 1064 nm
• Immersionsmedium: Luft